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    M52D128168A-6BG2E 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-6BG2E图片预览
    型号： M52D128168A-6BG2E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54]
    分类和应用： 动态存储器内存集成电路
    文件页数/大小： 47 页 / 1168 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-6BG2E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M52D128168A-6BG2E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M52D128168A-6BG2E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M52D128168A-6BG2E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M52D128168A-6BG2E的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M52D128168A-6BG2E的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M52D128168A-6BG2E的Datasheet PDF文件第13页浏览型号M52D128168A-6BG2E的Datasheet PDF文件第14页  
    ESMT  
    M52D128168A (2E)  
    BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)  
    Initial Address  
    Sequential  
    Interleave  
    A1  
    A0  
    0
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    0
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    1
    0
    1
    1
    BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)  
    Initial Address  
    Sequential  
    Interleave  
    A2  
    A1  
    A0  
    0
    0
    0
    0
    1
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    5
    7
    4
    5
    2
    3
    0
    1
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Aug. 2012  
    Revision: 1.0 10/47  

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