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M24L28256DA-70BEG 参数 Datasheet PDF下载

M24L28256DA-70BEG图片预览
型号: M24L28256DA-70BEG
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内容描述: 2兆位( 256K ×8 )伪静态RAM [2-Mbit (256K x 8) Pseudo Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 225 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
Switching Waveforms (continued)
Write Cycle No.1 (
WE
Controlled)[9,10, 14, 15, 16]
M24L28256DA
Write Cycle 2 (
CE
1
or CE
2
Controlled) [9, 10, 14, 15, 16]
Notes:
14.Data I/O is high impedance if OE
V
IH
.
15. If Chip Enables go INACTIVE simultaneously with
WE
=HIGH, the output remains in a high-impedance state.
16.During the DON’T CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Jul. 2007
Revision
:
1.0
6/10