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M14D5121632A_1 参数 Datasheet PDF下载

M14D5121632A_1图片预览
型号: M14D5121632A_1
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内容描述: 8M ×16位×4银行DDR II SDRAM [8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 59 页 / 982 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC Overshoot / Undershoot Specification
M14D5121632A
Operation Temperature Condition (T
C
) -40
°
C~95
°
C
Value
Parameter
Pin
-3
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS,
0.5
V
Unit
,
DM
,
DM
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS,
0.5
V
Maximum overshoot area above V
DD
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT,
CLK, CLK , DQ, DQS,
0.8
0.23
0.8
0.23
V-ns
V-ns
V-ns
V-ns
,
DM
Maximum undershoot area below V
SS
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT,
CLK, CLK , DQ, DQS,
,
DM
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Feb. 2009
Revision : 1.1
9/59