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M14D5121632A-3BIG2H 参数 Datasheet PDF下载

M14D5121632A-3BIG2H图片预览
型号: M14D5121632A-3BIG2H
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-84]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 62 页 / 1001 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC Overshoot / Undershoot Specification
Parameter
Maximum peak amplitude allowed for
overshoot
Maximum peak amplitude allowed for
undershoot
Pin
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS, DQS
,
DM
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS, DQS
,
DM
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT,
CLK, CLK , DQ, DQS, DQS
,
DM
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT,
CLK, CLK , DQ, DQS, DQS
,
DM
M14D5121632A (2H)
Operation Temperature Condition (T
C
) -40
°
C~95
°
C
Value
-1.8
0.5
-2.5
0.5
-3
Unit
V
0.5
0.5
V
0.5
0.19
0.5
0.19
0.66
0.23
0.8
V-ns
V-ns
Maximum overshoot area above V
DD
0.8
0.23
V-ns
V-ns
Maximum undershoot area below V
SS
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Aug. 2011
Revision : 1.1
9/62