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    M13S2561616A-6BIG2K 参数 Datasheet PDF下载

    M13S2561616A-6BIG2K图片预览
    型号： M13S2561616A-6BIG2K
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    内容描述： [DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-60]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
    文件页数/大小： 49 页 / 1234 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    M13S2561616A (2K)  
    Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
    Revision History  
    Revision  
    Date  
    Description  
    1.0  
    1.1  
    2010.02.01  
    2010.03.22  
    Original  
    Modify the specification of IDD6  
    1. Add package description into pin / ball configuration  
    2. Correct pin#34~66 of pin configuration  
    1.2  
    2010.05.04  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date : May 2010  
    Revision : 1.2 48/49  

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