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M12L64164A_0712 参数 Datasheet PDF下载

M12L64164A_0712图片预览
型号: M12L64164A_0712
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内容描述: 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 45 页 / 821 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12L64164A  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
C L O C K  
* N o t e 2  
tS S  
tS S  
tS S  
* N o t e 1  
C K E  
* N o t e 3  
C S  
R A S  
C A S  
A D D R  
R a  
C a  
A1 3  
A1 2  
R a  
A10/AP  
tS H Z  
D Q  
Qa0  
Qa1 Qa2  
W E  
D Q M  
Read  
P r e c h a r g e  
Pr ech ar ge  
Row A c t i ve  
Po w er - D ow n  
E ntr y  
Pr ech ar ge  
Pow er - D ow n  
Exi t  
A c t i v e  
P o w e r - d o w n  
E x i t  
A ct ive  
Pow er - dow n  
E ntr y  
:
D o n ' t c a r e  
*Note: 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.  
2. CKE should be set high at least 1CLK + tSS prior to Row active command.  
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Dec. 2007  
Revision: 1.2 40/45  
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