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    M12L2561616A-6BIG2S 参数 Datasheet PDF下载

    M12L2561616A-6BIG2S图片预览
    型号： M12L2561616A-6BIG2S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-54]
    分类和应用： 动态存储器内存集成电路
    文件页数/大小： 45 页 / 1010 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    M12L2561616A (2S)  
    Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
    Read & Write cycle with Auto Precharge @ Burst Length = 4  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
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    10  
    11  
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    13  
    14  
    15  
    16  
    17  
    18  
    19  
    C L O C K  
    C K E  
    C S  
    H I G H  
    R A S  
    C A S  
    A D D R  
    C a  
    R a  
    R b  
    C b  
    B A 0  
    BA 1  
    A1 0/AP  
    R a  
    R b  
    C L = 2  
    D Q  
    QAa2 QAa3  
    D D b 0 Dd b 1  
    QA a0 QAa1  
    D D b 2 D D d 3  
    C L = 3  
    QAa2 QAa 3  
    QAa1  
    QAa 0  
    D D b 0 Dd b 1 D D b 2 D D d 3  
    W E  
    D Q M  
    Read with  
    Auto Precharge  
    ( A - Bank )  
    Write with  
    Auto Precharge  
    (D-Bank)  
    Row Active  
    A - Bank )  
    Auto Precharge  
    Start Point  
    (D-Bank)  
    (
    Row Active  
    ( D - Bank )  
    Auto Precharge  
    Start Point  
    : D o n ' t C a r e  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Feb. 2015  
    Revision: 1.4  
    35/45  

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