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    M12L2561616A-6BIG2S 参数 Datasheet PDF下载

    M12L2561616A-6BIG2S图片预览
    型号： M12L2561616A-6BIG2S
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    内容描述： [Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-54]
    分类和应用： 动态存储器内存集成电路
    文件页数/大小： 45 页 / 1010 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    M12L2561616A (2S)  
    Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
    4. CAS Interrupt (II): Read Interrupted by Write & DQM  
    ( a) CL =2 , B L= 4  
    CLK  
    i ) C M D  
    W R  
    D0  
    R D  
    R D  
    R D  
    R D  
    D Q M  
    D Q  
    D2  
    D1  
    D3  
    i i ) C M D  
    W R  
    D Q M  
    D Q  
    H i - Z  
    D3  
    D2  
    D1  
    D0  
    D1  
    D2  
    i i i ) C M D  
    W R  
    D Q M  
    D Q  
    H i - Z  
    D0  
    D1  
    D3  
    i v ) C M D  
    W R  
    D Q M  
    D Q  
    H i - Z  
    Q0  
    D2  
    D0  
    D3  
    * N o t e 1  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Feb. 2015  
    Revision: 1.4  
    18/45  

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