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    F49L800BA-90TG 参数 Datasheet PDF下载

    F49L800BA-90TG图片预览
    型号： F49L800BA-90TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 1M ×8 / 512K ×16 ） 3V只有CMOS闪存 [8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 47 页 / 459 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号F49L800BA-90TG的Datasheet PDF文件第39页浏览型号F49L800BA-90TG的Datasheet PDF文件第40页浏览型号F49L800BA-90TG的Datasheet PDF文件第41页浏览型号F49L800BA-90TG的Datasheet PDF文件第42页浏览型号F49L800BA-90TG的Datasheet PDF文件第44页浏览型号F49L800BA-90TG的Datasheet PDF文件第45页浏览型号F49L800BA-90TG的Datasheet PDF文件第46页浏览型号F49L800BA-90TG的Datasheet PDF文件第47页  
    ESMT  
    F49L800UA/F49L800BA  
    Figure 26. Temporary Sector Unprotect Algorithm  
    Start  
    RESET = VID (Note 1)  
    Program Erase or Program Operation  
    Operation Completed  
    RESET = VIH  
    Temporary Sector Unprotect Completed (Note 2)  
    Notes :  
    1. All protected status are temporary unprotect.  
    ID = 10V~10.5V  
    V
    2. All previously protected sectors are protected again.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date : Jan. 2008  
    Revision: 1.6 43/47  

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