欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EN29LV160AT-90TIP 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV160AT-90TIP图片预览
型号: EN29LV160AT-90TIP
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 16兆位( 2048K X 8位/ 1024 KX 16位)闪存 [16 MEGABIT (2048K X 8- BIT / 1024 K X 16-BIT) FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 43 页 / 410 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
 浏览型号EN29LV160AT-90TIP的Datasheet PDF文件第22页浏览型号EN29LV160AT-90TIP的Datasheet PDF文件第23页浏览型号EN29LV160AT-90TIP的Datasheet PDF文件第24页浏览型号EN29LV160AT-90TIP的Datasheet PDF文件第25页浏览型号EN29LV160AT-90TIP的Datasheet PDF文件第27页浏览型号EN29LV160AT-90TIP的Datasheet PDF文件第28页浏览型号EN29LV160AT-90TIP的Datasheet PDF文件第29页浏览型号EN29LV160AT-90TIP的Datasheet PDF文件第30页  
EN29LV160A  
Test Conditions  
3.3 V  
2.7 kΩ  
Device Under Test  
CL  
6.2 kΩ  
Note: Diodes are IN3064 or equivalent  
Test Specifications  
Test Conditions  
Output Load  
-70  
-90  
Unit  
1 TTL Gate  
100  
Output Load Capacitance, CL  
Input Rise and Fall times  
Input Pulse Levels  
30  
5
pF  
ns  
V
5
0.0-3.0  
0.0-3.0  
Input timing measurement  
reference levels  
Output timing measurement  
reference levels  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
V
V
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
26  
Rev. C, Issue Date: 2005/01/07  
 复制成功!