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EM4022V14WS11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM4022V14WS11
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内容描述: 多频非接触式识别设备防碰撞与首旅集团的SuperTag类别协议兼容 [Multi Frequency Contactless Identification Device Anti-Collision compatible with BTG Supertag Category Protocols]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 278 K
品牌: EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
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EM4022
蓄电电容的计算
该装置的全球消耗电流限定
外部存储电容器。
当该装置调制,电源电压被拾取
从供应电容和不应该减少
上电复位的(下降沿V下
PONF
) 。如果
这种情况发生时,装置会在复位模式和任何
数据传输将被中止。最坏的情况下为
存储电容器的计算是当设备被放置在
电磁场。此时的供给
到达V
PONR
并开始进行调制。中
调制在电容器中的电力存储必须是高
够使得在调制的端部的供给是
比V高
PORF 。
。这意味着电压降低
在电容器必须小于的滞后
上电复位(V
物理层
).
与此当芯片具有大约电源电压
上电复位阈值功率
的总电流消耗从存储电容器
由调制电流I定义
MOD
,
该电流是上电复位的消耗
块,振荡器和逻辑,在一个典型的工作
频率为125KHz 。差距目前还包括
在这个参数。
时间在哪里这个电流是本作的
电容器的计算,是依赖于数据速率的
计算示例:
下面我们定义的典型案例组合:
F
OSC
= 125千赫
V
物理层
= 120毫伏
I
MOD
= 9
µ
A
数据传输速率为4波特。
I
MOD
* 128 * 10
3
CPX
=
F
OSC
*
V
HYS
*
波特率
9 * 10
6
* 128 * 10
3
=
=
14.4
nF
125 * 10
3
* 160 * 10
3
* 4 * 10
3
当然,这个值可以适应于
电磁功率和性能即
必须实现。如果标签被放在一个字段中的短
时,发射功率必须足够高,以充
了电容器。
该芯片集成了一个140pF电容供电。
框图
M
VDD
VDD
P
R
PON
COIL1
D2
Q1
逻辑
D4
CR
D3
分流
Q2
N
GAP
TST
C
VSS
OSC
CP
COIL2
D1
DG
VDD
VDD
RG
VSS VSS VSS
VSS
GAP
CG
SI
XCLK TMC
图。五
版权
2002年, EM微电子,马林SA
4
www.emmicroelectronic.com