EM4022
绝对最大额定值
参数
最大交流峰值电流
致于COIL1和
COIL2
最大直流电压
诱导M和V之间
SS
最大直流电流
供给为M
电源
马克斯。电压等垫
分钟。电压等垫
储存温度
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
方法3015
注1）先达到什么
办理程序
条件
= 30毫安
符号
I
COIL
V
M
(note1)
5V
60毫安
-0.3到V
M
V
DD
+ 0.3 V
V
SS
- 0.3 V
o
-55 〜+ 125 ç
1000 V
I
M
(note1)
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，由于独特的
该器件的性能，防静电预防措施
被视为对任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生
当所有的端电压保持在电源内
电压范围。
V
DD
- V
SS
V
最大
V
最大
T
商店
V
ESD
工作条件
参数
工作温度
最大线圈电流
线圈上的交流电压*
M上的直流电压*
符号
最小值典型值
-40
T
A
-10
I
COIL
V
COIL
3.5
V
M
最大单位
o
+85 C
10
mA
15
V
pp
V
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件
可靠性或导致故障。
*在线圈上的交流电压，并在焊盘的直流电压
M的通过在加载的片上并联稳压器不限
I
COIL
在表3中
电气特性
O
V
供应
在2.0 V和3.0 V，T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
电源电压（V
DD
- V
SS
)
稳定电压
振荡器频率
上电复位门限
上电复位门限
上电复位迟滞
GAP输入时间常数
符号
V
供应
V
M
F
OSC
V
PONR
V
PONF
V
物理层
T
GAP
测试条件
I
M
= 50毫安
V
供应
= 3 V
V
供应
升起
V
供应
落下
外推与外部
64nF的电容
V
供应
= 3 V
F = 100kHz时为100mVpp
F = 100kHz时为100mVpp
V
供应
= 2 V
V
供应
= 2V
V
GAP
= 0V, V
供应
= 2V
f
OSC
= 128kHz的，V
供应
= 2V
民
V
PONR
+100mV
3.3
92
0.9
0.7
80
典型值
4
125
1.4
1.2
160
0.4
4
110
140
9
200
5
5
最大单位
V
M
V
4.7
V
160千赫
1.8
V
1.6
V
240
mV
µ
s
导通电阻调制晶体管
谐振电容器
供应电容器
消耗电流在调制状态
并联稳压器电流消耗
间隙的上拉电流消耗
动态电流消耗
R
ON
C
R
C
SUP
I
MOD
I
分流
I
GAP
I
DYN
106.7
6
1.8
3.5
8
113.3
13
500
7
6.5
pF
pF
µ
A
nA
µ
A
µ
A
Ω
时序特性
1）所有的时序来自于芯片上的振荡器。
2）最小
低频
隙宽度为一个单一芯片是1位，在其自身的时钟频率。读者必须然而，
允许的传播在时钟频率可能在一组标签。在静音所述GAP的，因此最小宽度
和WAKE -UP信号必须是1.5位。高频的GAP可以任意。
3）最大的GAP宽度为单个芯片为6比特，在其自身的时钟频率。读者必须但允许
蔓延在时钟频率可能在一组标签。因此， GAP在静音和唤醒的最大宽度
信号必须是5位。
参数
高频间隙宽度
高频ACK间隙宽度
高频静音和WAKE -UP间隙宽度
低频ACK间隙宽度
低频静音和WAKE -UP间隙宽度
GAP分离WAKE -UP信号
符号测试条件
T
HFGAP
W
HFACK
W
HFMUTE
W
LFGAP
W
LFACK
W
LFMUTE
民
50
典型值
最大单位
ns
6
位
5
位
6
位
5
位
5
位
1.0
1.5
1.5
2
2
2
版权
2002年， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
