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HM5225805BLTT-75 参数 Datasheet PDF下载

HM5225805BLTT-75图片预览
型号: HM5225805BLTT-75
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内容描述: LVTTL 256M SDRAM接口的133 MHz / 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4银行PC / 133 , PC / 100 SDRAM [256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器PC时钟
文件页数/大小: 63 页 / 454 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6  
Initialization sequence  
Power up sequence  
100 µs  
200 µs  
VCC, VCC  
Q
0 V  
CKE, DQM,  
DQMU/DQML  
Low  
Low  
Low  
CLK  
CS, DQ  
Power stabilize  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Note  
Voltage on any pin relative to VSS  
VT  
–0.5 to VCC + 0.5  
V
1
(4.6 (max))  
Supply voltage relative to VSS  
Short circuit output current  
Power dissipation  
VCC  
–0.5 to +4.6  
50  
V
1
Iout  
PT  
mA  
W
1.0  
Operating temperature  
Storage temperature  
Topr  
Tstg  
0 to +70  
–55 to +125  
°C  
°C  
Note: 1. Respect to VSS.  
DC Operating Conditions (Ta = 0 to +70˚C)  
Parameter  
Symbol  
VCC, VCCQ  
VSS, VSSQ  
VIH  
Min  
3.0  
0
Max  
3.6  
Unit  
V
Notes  
1, 2  
3
Supply voltage  
0
V
Input high voltage  
Input low voltage  
2.0  
0.3  
VCC + 0.3  
0.8  
V
1, 4  
1, 5  
VIL  
V
Notes: 1. All voltage referred to VSS.  
2. The supply voltage with all VCC and VCCQ pins must be on the same level.  
3. The supply voltage with all VSS and VSSQ pins must be on the same level.  
4. VIH (max) = VCC + 2.0 V for pulse width 3 ns at VCC.  
5. VIL (min) = VSS 2.0 V for pulse width 3 ns at VSS.  
Data Sheet E0082H10  
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