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    EDS2532EGBH-7BTT-F 参数 Datasheet PDF下载

    EDS2532EGBH-7BTT-F图片预览
    型号： EDS2532EGBH-7BTT-F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256M位的SDRAM WTR （宽温度范围） [256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 50 页 / 719 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDS2532EGBH-7BTT-F的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EDS2532EGBH-7BTT-F的Datasheet PDF文件第15页浏览型号EDS2532EGBH-7BTT-F的Datasheet PDF文件第16页浏览型号EDS2532EGBH-7BTT-F的Datasheet PDF文件第17页浏览型号EDS2532EGBH-7BTT-F的Datasheet PDF文件第19页浏览型号EDS2532EGBH-7BTT-F的Datasheet PDF文件第20页浏览型号EDS2532EGBH-7BTT-F的Datasheet PDF文件第21页浏览型号EDS2532EGBH-7BTT-F的Datasheet PDF文件第22页  
    EDS2532EGBH-TT  
    Notes: 1. An interval of tDPL is required between the final valid data input and the precharge command.  
    2. If tRRD is not satisfied, this operation is illegal.  
    3. Illegal for same bank, except for another bank.  
    4. Illegal for all banks.  
    5. NOP for same bank, except for another bank.  
    6. Illegal if tRCD is not satisfied.  
    7. Illegal if tRAS is not satisfied.  
    8. MRS command must be issued after DOUT finished, in case of DOUT remaining.  
    9. Illegal if lMRD is not satisfied.  
    Preliminary Data Sheet E1200E40 (Ver. 4.0)  
    18  

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