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EDD5108ADTA-6BL-E 参数 Datasheet PDF下载

EDD5108ADTA-6BL-E图片预览
型号: EDD5108ADTA-6BL-E
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内容描述: 512M比特DDR SDRAM [512M bits DDR SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 49 页 / 549 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD5104ADTA-E, EDD5108ADTA-E, EDD5116ADTA-E  
Pin Capacitance (TA = +25°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V)  
Parameter  
Symbol  
CI1  
Pins  
min.  
2.0  
2.0  
typ  
max.  
3.0  
3.0  
0.25  
0.5  
5
Unit  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
Notes  
Input capacitance  
CK, /CK  
1
CI2  
All other input pins  
CK, /CK  
1
Delta input capacitance  
Cdi1  
Cdi2  
CI/O  
Cdio  
1
All other input-only pins  
DQ, DM, DQS  
DQ, DM, DQS  
1
Data input/output capacitance  
Delta input/output capacitance  
4.0  
1, 2,  
1
0.5  
Notes: 1. These parameters are measured on conditions: f = 100MHz, VOUT = VDDQ/2, VOUT = 0.2V,  
TA = +25°C.  
2. DOUT circuits are disabled.  
AC Characteristics (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)  
-6B  
-7A  
-7B  
min.  
max.  
12  
min.  
max  
12  
min.  
max.  
12  
Parameter  
Clock cycle time  
(CL = 2)  
Symbol  
tCK  
Unit Notes  
7.5  
7.5  
10  
ns  
10  
(CL = 2.5)  
tCK  
tCH  
tCL  
6
12  
7.5  
12  
7.5  
12  
ns  
CK high-level width  
CK low-level width  
0.45  
0.45  
0.55  
0.55  
0.45  
0.45  
0.55  
0.55  
0.45  
0.45  
0.55  
0.55  
tCK  
tCK  
min  
min  
min  
CK half period  
tHP  
tCK  
ns  
(tCH, tCL)  
(tCH, tCL)  
(tCH, tCL)  
DQ output access time from CK, /CK tAC  
DQS output access time from CK,  
/CK  
–0.7  
0.7  
0.6  
0.45  
–0.75  
–0.75  
0.75  
0.75  
0.5  
–0.75  
–0.75  
0.75  
0.75  
0.5  
2, 11  
2, 11  
3
tDQSCK –0.6  
ns  
DQS to DQ skew  
tDQSQ  
ns  
ns  
ns  
DQ/DQS output hold time from DQS tQH  
tHP – tQHS —  
tHP – tQHS —  
tHP – tQHS —  
Data hold skew factor  
tQHS  
0.55  
0.75  
0.75  
Data-out high-impedance time from  
tHZ  
tLZ  
–0.7  
0.7  
0.7  
–0.75  
0.75  
0.75  
–0.75  
0.75  
0.75  
ns  
ns  
5, 11  
6, 11  
CK, /CK  
Data-out low-impedance time from  
CK, /CK  
–0.7  
–0.75  
–0.75  
Read preamble  
tRPRE  
tRPST  
tDS  
0.9  
1.1  
0.6  
0.9  
0.4  
0.5  
0.5  
1.75  
0
1.1  
0.6  
0.9  
0.4  
0.5  
0.5  
1.75  
0
1.1  
0.6  
tCK  
tCK  
ns  
Read postamble  
0.4  
DQ and DM input setup time  
DQ and DM input hold time  
DQ and DM input pulse width  
Write preamble setup time  
Write preamble  
0.45  
0.45  
1.75  
8
8
7
tDH  
ns  
tDIPW  
ns  
tWPRES 0  
ns  
tWPRE 0.25  
tWPST 0.4  
0.25  
0.4  
0.25  
0.4  
tCK  
tCK  
Write postamble  
0.6  
0.6  
0.6  
9
Write command to first DQS latching  
transition  
tDQSS  
0.75  
1.25  
0.75  
1.25  
0.75  
1.25  
tCK  
DQS falling edge to CK setup time  
tDSS  
0.2  
0.2  
0.2  
tCK  
tCK  
tCK  
tCK  
DQS falling edge hold time from CK tDSH  
0.2  
0.2  
0.2  
DQS input high pulse width  
DQS input low pulse width  
tDQSH  
tDQSL  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
Address and control input setup time tIS  
Address and control input hold time tIH  
0.75  
0.75  
0.9  
0.9  
0.9  
0.9  
ns  
ns  
8
8
Preliminary Data Sheet E0501E10 (Ver. 1.0)  
6