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    EBJ11UE6BASA-AC-E 参数 Datasheet PDF下载

    EBJ11UE6BASA-AC-E图片预览
    型号： EBJ11UE6BASA-AC-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM Module, 128MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN]
    分类和应用： 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 19 页 / 225 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EBJ11UE6BASA-AC-E的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EBJ11UE6BASA-AC-E的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EBJ11UE6BASA-AC-E的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EBJ11UE6BASA-AC-E的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EBJ11UE6BASA-AC-E的Datasheet PDF文件第15页浏览型号EBJ11UE6BASA-AC-E的Datasheet PDF文件第16页浏览型号EBJ11UE6BASA-AC-E的Datasheet PDF文件第18页浏览型号EBJ11UE6BASA-AC-E的Datasheet PDF文件第19页  
    EBJ11UE6BASA  
    Physical Outline  
    Unit: mm  
    3.80 Max  
    Front side  
    21.15  
    2.00 Min  
    9.00  
    (DATUM -A-)  
    4x Full R  
    Component area  
    (Front)  
    A
    B
    D
    21.00  
    2.15  
    39.00  
    2.45  
    2.15  
    1.00 ± 0.10  
    67.60  
    Back side  
    63.60  
    C
    2.45  
    Component area  
    (Back)  
    (DATUM -A-)  
    Detail A  
    Detail B  
    FULL R  
    0.60  
    1.65  
    3.00  
    1.00 ± 0.10  
    0.45 ± 0.03  
    Detail C  
    Detail D  
    Contact pad  
    3.00  
    1.35  
    ECA-TS2-0215-01  
    Preliminary Data Sheet E1224E10 (Ver. 1.0)  
    17  

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