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EBJ11UE6BASA-AC-E 参数 Datasheet PDF下载

EBJ11UE6BASA-AC-E图片预览
型号: EBJ11UE6BASA-AC-E
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内容描述: [DDR DRAM Module, 128MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 19 页 / 225 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EBJ11UE6BASA  
Recommended DC Operating Conditions (TC = 0°C to +85°C)  
(DDR3 SDRAM Component Specification)  
Parameter  
Symbol  
min.  
1.425  
0
typ.  
1.5  
0
max.  
1.575  
0
Unit  
V
Notes  
1, 2  
Supply voltage  
VDD, VDDQ  
VSS  
V
VDDSPD  
3.0  
3.3  
3.6  
V
Input reference voltage  
VREFCA (DC) 0.49 × VDDQ  
0.50 × VDDQ 0.51 × VDDQ  
0.50 × VDDQ 0.51 × VDDQ  
V
3, 4  
3, 4  
Input reference voltage for DQ VREFDQ (DC) 0.49 × VDDQ  
Termination voltage VTT VDDQ/2 – TBD  
V
TBD  
VDDQ/2 + TBD  
V
Notes: 1. Under all conditions VDDQ must be less than or equal to VDD.  
2. VDDQ tracks with VDD. AC parameters are measured with VDD and VDDQ tied together.  
3. The AC peak noise on VREF may not allow VREF to deviate from VREF(DC) by more than 1% VDD (for  
reference: approx 15 mV).  
4. For reference: approx. VDD/2 15 mV.  
Preliminary Data Sheet E1224E10 (Ver. 1.0)  
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