54HSC/T630
耐辐射
总剂量辐射测试
对于产品的采购，以保证总剂量辐射
各级，各晶圆批次将被批准时，所有样品
从每批设备通过总剂量辐射试验。
该样品器件将经受的总剂量
辐射水平（钴60源），由排序确定
代码，必须不断满足电气参数
在数据表中指定。电气试验，前后
照射时，将读取和记录。
GEC普莱塞半导体可以提供辐射
测试符合MIL-STD- 883方法1019电离
辐射（总剂量）试验。
总剂量（功能规格） *
瞬态干扰（存储数据丢失）
瞬态干扰（生存）
中子硬度（功能规格）
单粒子翻转**
闭锁
3x10
5
Rad公司（SI ）
5x10
10
Rad公司（SI ） /秒
>1x10
12
Rad公司（SI ） /秒
>1x10
15
牛顿/厘米
2
<1x10
-10
错误/位天
不可能
*其他总剂量辐射可根据要求的水平
**最坏的情况下，银河宇宙射线底价 - 星际/高空轨道
图11 ：辐射硬度参数
订购信息
独特的电路代号
耐辐射
没有宽容暗示
“空白”
100 kRads （ Si）的保证
R
300 kRads （ Si）的保证
Q
H *
1000 kRads （ Si）的保证
*只有HSC
54xHSC/T630xxxxx
QA / QCI过程
（见第9章第4部分）
测试过程
（见第9章第3部分）
套餐类型
C
F
陶瓷DIL （焊接密封）
扁平封装（焊接密封）
装配工艺
（见第9章第2部分）
可靠性水平
L
C
D
E
B
S
相对0
相对1
相对2
相对3/4/ 5 / STACK
B类
S级
对于可靠性， QA / QC ，测试和封装的详细信息
选项，请参阅“制造能力和质量
鉴证准则“第9条。
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DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
