DF68543 参数 Datasheet PDF下载

DF685

100000

10000

1000

50µs

Conditions:

T_j= 150˚C,

V_R= 100V

I_F

Q =

∫

t_p= 1ms

dI_R/dt

I_RR

I_F= 4000A

I_F= 2000A

I_F= 1000A

I_F= 200A I_F= 500A

I_F= 100A

100

1000

Rate of rise of reverse current dI_R/dt - (A/µs)

Fig. 4 Recovered charge

10000

Conditions:

T_j= 150˚C,

V_R= 100V

1000

100

I_F= 4000A

I_F= 2000A

I_F= 1000A

I_F= 500A

I_F= 200A

I_F= 100A

100

1000

Rate of rise of reverse current dI_R/dt - (A/µs)

Fig. 5 Typical reverse recovery current vs rate of rise of reverse current

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