MMBT3904
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspannung
)
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
基射极饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
V
CE
= 30 V, V
EB
= 3 V
发射基截止电流 - 发射极 - 基 - Reststrom
- V
CE
= 30 V, - V
EB
= 3 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
V
CB
= 5 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazität
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 μA ，R
G
= 1千欧中，f = 1千赫
开关时间 - Schaltzeiten （10％和90％之间）
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 3 V, V
BE
= 0.5 V
I
C
= 10 mA时，我
B1
= 1毫安
V
CC
= 3 V，I
C
= 10毫安，
I
B1
= I
B2
= 1毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
R
THA
–
–
–
–
–
–
–
–
< 357 K / W
)
MMBT3906
MMBT3904 = 1AM或1E
35纳秒
35纳秒
200纳秒
50纳秒
F
–
–
5分贝
C
EBO
–
–
8 pF的
C
CBO
–
–
4 pF的
f
T
300兆赫
–
–
I
EBV
–
–-
50 nA的
I
CBX
–
–
50 nA的
V
BESAT
V
BESAT
0.65 V
–
–
–
0.85 V
0.95 V
V
CESAT
V
CESAT
–
–
–
–
0.2 V
0.3 V
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementäre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis ≤ 2％
有效的，如果引线被保持在环境温度
Gültig ，德恩死Anschlüsse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
2
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
