ES1A ... ES1J
特征
TYPE
典型值
ES1A...ES1D
ES1F...ES1G
ES1J
漏电流
Sperrstrom
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wärmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
反向恢复时间
Sperrverzugszeit
t
rr
[ NS ]
)
＆ LT ; 15
＆ LT ; 25
＆ LT ; 35
Kennwerte
正向电压
Durchlass - Spannung
V
F
[V]
在/蓓
I
F
[A]
< 0.92
< 1.3
< 1.7
T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
T
j
= 100 ℃， V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
THA
R
THT
1
1
1
< 5 μA
< 100 μA
< 70 K / W
)
< 30 K / W
120
[%]
100
10
[A]
1
ES1A...D
80
ES1F...G
ES1J
60
0.1
40
10
-2
20
I
FAV
0
0
T
T
50
100
150
[°C]
I
F
10
-3
T
j
= 25°C
V
F
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
[V]
额定正向电流与温度。端子的
祖尔。 Richtstrom在ABH 。诉ð 。温度。德码头
1
2
I
F
= 0.5 A到/尤伯杯我
R
= 1 A到/奥夫我
R
= 0.25 A
安装在P.C。板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
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©德欧泰克半导体公司
2
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
