TIP31 ... TIP31C
TIP31 ... TIP31C
NPN
Version 2006-07-12
10
±0.2
3
4
3.8
Type
Typ
General Purpose Silicon Power Transistors
Silizium Leistungs-Transistoren für universellen Einsatz
Max. power dissipation with cooling
Max. Verlustleistung mit Kühlung
Collector current
Kollektorstrom
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
NPN
40 W
3A
TO-220AB
2.2 g
15.7
1 2 3
13.2
1.5
0.9
2.54
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2/4 = C
3=E
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
TIP31
Collector-Emitter-voltage
Collector-Emitter-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
without cooling – ohne Kühlung
with cooling – mit Kühlung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
P
tot
P
tot
I
C
I
CM
I
B
T
j
T
S
B open
E open
C open
V
CEO
V
CES
V
EBO
40 V
40 V
60 V
60 V
3.4
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
TIP31A
TIP31B
80 V
80 V
5V
2 W
1
)
40 W
3A
5A
1A
-55...+150°C
-55…+150°C
TIP31C
100 V
100 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
V
CE
= 4 V, I
C
= 1 A
V
CE
= 4 V, I
C
= 3 A
I
C
= 3 A, I
B
= 375 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
2
)
V
CE
= 4 V, I
C
= 3 A
1
2
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
Max.
–
50
1.2 V
1.8 V
h
FE
h
FE
V
CEsat
V
BE
25
10
–
–
Collector-Emitter saturation volt. – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
