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    FZT953TA 参数 Datasheet PDF下载

    FZT953TA图片预览
    型号： FZT953TA
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    内容描述： SOT223 PNP硅平面高电流（高性能）晶体管 [SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 98 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号FZT953TA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FZT953TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FZT953TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FZT953TA的Datasheet PDF文件第4页  
    FZT953
    典型特征
    1.6
    I
    C
    /I
    B
    =50
    I
    C
    /I
    B
    =10
    T
    AMB
    =25°C
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0.01
    0.1
    1
    10 20
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10 20
    -55°C
    +25°C
    +175°C
    I
    C
    /I
    B
    =10
    V
    CE （ SAT ）
    - （伏）
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0.001
    I
    C
    -
    集电极电流（安培）
    V
    CE （ SAT ）
    - （伏）
    I
    C
    -
    集电极电流（安培）
    V
    CE （ SAT ）
    V I
    C
    V
    CE （ SAT ）
    V I
    C
    1.6
    h
    FE
    - 归一化增益
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    +100°C
    +25°C
    -55°C
    V
    CE
    =1V
    300
    1.6
    h
    FE
    - 典型增益
    1.4
    -55°C
    +25°C
    +100°C
    +175°C
    I
    C
    /I
    B
    =10
    V
    BE （ SAT ）
    - （伏）
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    200
    100
    0.01
    0.1
    1
    10 20
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10 20
    I
    C
    -
    集电极电流（安培）
    I
    C
    -
    集电极电流（安培）
    h
    FE
    V I
    C
    10
    -55°C
    +25°C
    +100°C
    +175°C
    V
    BE （ SAT ）
    V I
    C
    在T单脉冲测试
    AMB
    =25°C
    1.6
    1.4
    V
    CE
    =1V
    I
    C
    - 集电极电流（安培）
    V
    BE
    - （伏）
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10 20
    1
    0.1
    特区
    1s
    100ms
    10ms
    1.0ms
    0.1ms
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    I
    C
    -
    集电极电流（安培）
    V
    CE
    -
    集电极电压（伏特）
    V
    BE（上）
    V I
    C
    安全工作区
    3 - 283

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