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    FZT953TA 参数 Datasheet PDF下载

    FZT953TA图片预览
    型号： FZT953TA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT223 PNP硅平面高电流（高性能）晶体管 [SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 98 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号FZT953TA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FZT953TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FZT953TA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FZT953TA的Datasheet PDF文件第5页  
    FZT951
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CER
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CER
    ř 1K
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    -20
    -85
    -155
    -370
    -1080
    -935
    100
    100
    75
    10
    200
    200
    90
    25
    120
    74
    82
    350
    分钟。
    -100
    -100
    -60
    -6
    典型值。
    -140
    -140
    -90
    -8
    -50
    -1
    -50
    -1
    -10
    -50
    -140
    -210
    -460
    -1240
    -1070
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    V
    nA
    A
    nA
    A
    条件。
    I
    C
    =-100 A
    I
    C
    = -1 ， RB 1K
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100 A
    V
    CB
    =-80V
    V
    CB
    = -80V ，T
    AMB
    =100°C
    V
    CB
    =-80V
    V
    CB
    = -80V ，T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =-6V
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA*
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-200mA*
    I
    C
    = -5A ，我
    B
    =-500mA*
    I
    C
    = -5A ，我
    B
    =-500mA*
    I
    C
    = -5A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -2A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -5A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -10A ，V
    CE
    =-1V*
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    2%
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-10V
    f=50MHz
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -2A ，我
    B1
    =-200mA
    I
    B2
    =的200mA， V
    CC
    =-10V
    nA
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    基射
    饱和电压
    基射
    导通电压
    静态前进
    电流传输比
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    300
    跃迁频率
    输出电容
    开关时间
    f
    T
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    3 - 280
    
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300秒。占空比
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
     
    
    
    
    
    
    
     

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