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BSS8402DW_08 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BSS8402DW_08
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内容描述: 互补对增强型场效应晶体管 [COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 174 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BSS8402DW
N沟道 - 2N7002节
1.0
I
D
,漏源电流(A )
7
T
j
= 25
°
C
0.8
R
DS ( ON)
,静态漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
6
5
4
3
2
1
0
新产品
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏源电压(V )
图。 1在区域特征
5
0
0.4
0.6
0.8
I
D
,漏电流( A)
图。 2导通电阻与漏电流
0.2
1.0
3.0
R
DS ( ON)
,静态漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
6
2.5
R
DS ( ON)
,静态漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
5
4
2.0
3
2
1.5
V
GS
= 10V,
I
D
= 200毫安
1
1.0
-55
-30
-5
20
45
70 95
120 145
T
j
,结温(
°
C)
图。 3导通电阻与结温
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18
V
GS
,门源电压( V)
图。 4导通电阻与栅源电压
10
9
V
GS ,
栅极 - 源极电流( V)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.4
0.8
0.6
I
D
,漏电流( A)
图。 5典型的传输特性
0.2
1
V
DS
= 10V
250
P
d
,功耗(毫瓦)
200
150
100
50
0
50
75
100 125 150 175 200
25
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 6最大功耗与环境温度
0
BSS8402DW
文件编号: DS30380牧师12 - 2
3 5
www.diodes.com
2008年6月
© Diodes公司