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BSS8402DW_08 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BSS8402DW_08
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内容描述: 互补对增强型场效应晶体管 [COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 174 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BSS8402DW
互补对增强型场效应晶体管
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
互补对
无铅/符合RoHS (注2 )
"Green"设备(注3,4)
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-363
新产品
案例: SOT- 363
表壳材质:模压塑料。 “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
终端连接:见图
标识信息:参见第5页
订购信息:参见第5页
重量: 0.008克(近似值)
D
1
G
2
S
2
Q
1
Q
2
S
1
G
1
D
2
顶视图
顶视图
内部原理
最大额定值 - 共有设备
特征
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
200
625
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
最大额定值N沟道 - Q
1
, 2N7002节
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压ř
GS
1.0MΩ
栅源电压
漏电流(注1 )
连续
脉冲
连续
连续@ 100℃
脉冲
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
60
60
±20
±40
115
73
800
单位
V
V
V
mA
最大额定值P- CHANNEL - Q
2
, BSS84节
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压ř
GS
20KΩ
栅源电压
漏电流(注1 )
注意事项:
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
-50
-50
±20
-130
单位
V
V
V
mA
连续
连续
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议​​焊盘布局文件AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
3.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
4.产品使用日期代码UO制造( 40周, 2007年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
BSS8402DW
文件编号: DS30380牧师12 - 2
1 5
www.diodes.com
2008年6月
© Diodes公司