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型号: BSS138DW
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 109 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BSS138DW
0.6
I
D
,漏源电流(A )
0.5
T
j
= 25
°
C
V
GS
= 3.5V
0.8
0.7
V
DS
= 1V
-55
°
C
V
GS
= 3.25V
I
D
,漏源电流(A )
0.6
0.5
25
°
C
0.4
V
GS
= 3.0V
150
°
C
0.3
V
GS
= 2.75V
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
V
GS
= 2.5V
0.1
0
7
3
4
5
6
8
9 10
V
DS
,漏源电压(V )
图。 1漏源电流和漏源电压
0
1
2
0.5 1
1.5
2
2.5
3 3.5 4
V
GS
,栅源电压(V )
图。 2传输特性
4.5
2.45
V
GS ( TH)
,栅极阈值电压( V)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100 125 150
-25
T
j
,结温( ° C)
图。 4栅极阈值电压与结温
0
-55
R
DS ( ON)
归一化的漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
2.25
2.05
1.85
1.65
1.45
1.25
1.05
0.85
0.65
-55
45
145
95
-5
T
j
,结温( ° C)
图。 3漏源导通电阻与结温
V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.075A
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
8
V
GS
= 2.5V
150
°
C
9
V
GS
= 2.75V
7
6
5
4
3
-55
°
C
25
°
C
8
7
150
°
C
6
5
4
25
°
C
3
2
-55
°
C
2
1
0
0
1
0
0.2
0.25
0.1
0.15
I
D
,漏电流(A)
图。 6漏源导通电阻与漏电流
0
0.05
0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16
I
D
,漏电流(A)
图。 5漏源导通电阻与漏电流
BSS138DW
文件编号: DS30203牧师12 - 2
2 5
2009年9月
© Diodes公司