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型号: BSS138DW
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 109 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BSS138DW
双N沟道增强型场效应晶体管
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
可以在无铅/ RoHS兼容的版本(注4 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
"Green"设备(注5,6)
机械数据
SOT-363
D
2
G
1
S
1
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。 “绿色”模塑料
(注6) 。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端:雾锡完成了退火合金引线框架42
(无铅电镀),每MIL -STD- 202方法208
终端连接:见图
标识信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.006克(近似值)
S
2
G
2
D
1
顶视图
顶视图
内部原理
最大额定值
漏源电压
漏极 - 栅极电压(注3)
栅源电压
漏电流(注1 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
BSS138DW
50
50
±20
200
单位
V
V
V
mA
特征
连续
连续
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
BSS138DW
200
625
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性(注2 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征(注2 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
D(关闭)
50
0.5
100
典型值
75
1.2
1.4
最大
0.5
±100
1.5
3.5
50
25
8.0
20
20
单位
V
µA
nA
V
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.22A
V
DS
= 25V ,我
D
= 0.2A , F = 1.0KHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V ,我
D
= 0.2A,
R
= 50Ω
设备安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议​​焊盘布局文件AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
R
GS
20KΩ.
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造( 40周, 2007年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
BSS138DW
文件编号: DS30203牧师12 - 2
1 5
www.diodes.com
2009年9月
© Diodes公司