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    BSS138DW 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138DW图片预览
    型号： BSS138DW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 98 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号BSS138DW的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS138DW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS138DW的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS138DW的Datasheet PDF文件第5页  
    R
    DS （ ON）
    归一漏极 - 源极导通电阻（
    W
    )
    2.45
    2.25
    2.05
    1.85
    1.65
    1.45
    1.25
    1.05
    0.85
    0.65
    -55
    -5
    45
    95
    145
    V
    GS
    = 4.5V
    I
    D
    = 0.075A
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 0.5A
    T
    j
    ，结温（ ° C）
    图。 3漏源导通电阻与结温
    2
    V
    GS （ TH）
    ，栅极阈值电压（ V）
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    -55
    -40 -25 -10 5
    20 35 50 65 80 95 110 125
    140
    I
    D
    = 1.0毫安
    T
    j
    ，结温（ ° C）
    图。 4栅极阈值电压与结温
    R
    DS （ ON）
    ，漏极 - 源极导通电阻（
    W
    )
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    -55
    °
    C
    25
    °
    C
    V
    GS
    = 2.5V
    150
    °
    C
    2
    1
    0
    0
    0.02
    0.04
    0.06
    0.08 0.1
    0.12
    0.14
    0.16
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    图。 5漏源导通电阻与漏极电流
    DS30203牧师8 - 2
    3 5
    www.diodes.com
    BSS138DW

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