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型号: BSS138DW
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 98 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BSS138DW
双N沟道增强
型场效应晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
可以在无铅/ RoHS兼容的版本(注4 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
S
2
G
2
D
1
D
2
A
G
1
S
1
SOT-363
暗淡
B C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
¾
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
A
B
C
D
M
机械数据
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
也可以在无铅电镀(雾锡完成
在退火合金引线框架42 ) 。请参阅订购
资料显示,注6 ,第2页
终端连接:见图
标识代码(见第2页) : K38
订购&日期代码信息:参见第2页
重量: 0.006克(近似值)
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
S
2
D
2
G
H
K
0.65标称
F
H
J
K
L
M
a
J
D
G
1
S
1
F
L
G
2
D
1
尺寸:mm
最大额定值
漏源电压
漏极 - 栅极电压(注3)
栅源电压
漏电流(注1 )
特征
符号
V
DSS
V
DGR
连续
连续
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
BSS138DW
50
50
±20
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
总功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性(注2 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征(注2 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意:
1.
2.
3.
4.
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
D(关闭)
50
¾
¾
0.5
¾
100
¾
¾
¾
¾
¾
典型值
75
¾
¾
1.2
1.4
¾
¾
¾
¾
¾
¾
最大
¾
0.5
±100
1.5
3.5
¾
50
25
8.0
20
20
单位
V
µA
nA
V
W
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
DD
= 30V ,我
D
= 0.2A,
R
= 50W
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250毫安
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.22A
V
DS
= 25V ,我
D
= 0.2A , F = 1.0KHz
设备安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议​​焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
R
GS
£
20KW.
没有故意添加铅。
DS30203牧师8 - 2
1 5
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BSS138DW
ã
Diodes公司