BSS123-7-F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS123-7-F
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	3 页 / 122 K
品牌：	DIODES [ DIODES INCORPORATED ]

BSS123

0.7

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

2.4

，漏源电流（A ）

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

2.0

新产品

1.6

1.2

0.1

，漏源电压（V ）

图。 1在区域特征

0.8

0.1

0.3

0.4

0.5

0.6

0.2

，漏源电流（A ）

图。 2导通电阻变化与栅极电压

和漏源电流

GS （TH ）

归一化阈值电压

1.2

2.2

DS （ON ），

归一化的导通电阻

= V

= 250µA

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

-50

= 10V

= 170m

1.1

0.9

0.8

0.7

-50

-25

75 100 125 150

，结温（℃ ）

图。 3栅极阈值随温度的变化

75 100 125 150

-25

，结温（℃ ）

图。 4导通电阻随温度的变化

C，电容（pF ）

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OSS

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，漏源电压（V ）

图。 5典型电容

BSS123

文件编号： DS30366 Rev.8号 - 2

2 3

www.diodes.com

2008年5月

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