BSS123
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
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低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
高漏源电压额定值
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注2和4）
机械数据
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SOT-23
新产品
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
漏
D
门
G
来源
S
顶视图
等效电路
顶视图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DM
价值
100
100
±20
170
680
单位
V
V
V
mA
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压ř
GS
≤
20KΩ
栅源电压
漏电流（注1 ）
连续
连续
脉冲
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
漏源二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
开启上升时间
关断下降时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
1.
2.
3.
4.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
r
t
f
t
D（上）
t
D（关闭）
民
100
⎯
⎯
0.8
⎯
⎯
80
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
典型值
⎯
⎯
⎯
1.4
⎯
⎯
370
0.84
29
10
2
⎯
⎯
⎯
⎯
最大
⎯
1.0
10
50
2.0
6.0
10
⎯
1.3
60
15
6
8
16
8
13
单位
V
µA
nA
nA
V
Ω
mS
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.17A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 0.17A
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.17A ， F = 1.0KHz
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.34A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.28A,
R
根
= 50Ω, V
GS
= 10V
安装在FR- 4电路板和推荐焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf被发现的一部分。
没有故意添加铅。卤素和无锑。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
产品与数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。之前的日期代码产品制造
V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
BSS123
文件编号： DS30366 Rev.8号 - 2
1第3
www.diodes.com
2008年5月
© Diodes公司
DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
