BSS123-7 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS123-7
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	3 页 / 68 K
品牌：	DIODES [ DIODES INCORPORATED ]

GS （TH ）

归一化阈值电压

1.2

2.2

DS （ON ），

归一化的导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

-50 -25

100 125 150

新产品

1.1

= 10V

= 170m

0.9

0.8

0.7

，结温（℃ ）

图。 3栅极阈值随温度的变化

F = 1.0MHz的

-50

-25

100 125 150

，结温（℃ ）

图。 4导通电阻随温度的变化

250

，功耗（毫瓦）

C，电容（pF ）

200

150

西塞

100

科斯

CRSS

，漏源电压（V ）

图。 5典型电容

100

，环境温度（ ° C）

图。 6功率降额曲线，总包

200

订购信息

（注3）

设备

BSS123W-7

注意事项：

包装

SOT-323

航运

3000 /磁带&卷轴

3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

K23

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

JAN

2002

FEB

三月

2003

APR

K23 =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年份例如： N = 2002年

M =月前： 9 =九月

2004

五月

JUN

2005

JUL

2006

八月

2007

SEP

十月

2008

NOV

2009

DEC

DS30368修订版2 - 2

3 3

www.diodes.com

BSS123W

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