欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    BSS123-7 参数 Datasheet PDF下载

    BSS123-7图片预览
    型号： BSS123-7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 68 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号BSS123-7的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS123-7的Datasheet PDF文件第3页  
    新产品
    电气特性
    特征
    开关特性（注2 ）
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体泄漏，正向
    基本特征（注2 ）
    栅极阈值电压
    静态漏源导通电阻
    正向跨导
    漏源二极管的正向电压
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关特性
    开启上升时间
    关断下降时间
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    注意事项：
    @ T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSSF
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    V
    SD
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    r
    t
    f
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    民
    100
    ¾
    ¾
    0.8
    ¾
    ¾
    80
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    典型值
    ¾
    ¾
    ¾
    1.4
    ¾
    ¾
    370
    0.84
    29
    10
    2
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    最大
    ¾
    1.0
    10
    50
    2.0
    6.0
    10
    ¾
    1.3
    60
    15
    6
    8
    16
    8
    13
    单位
    V
    µA
    nA
    nA
    V
    W
    mS
    V
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    = 0.28A,
    R
    根
    = 50W ，V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MHz的
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250毫安
    V
    DS
    = 100V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 20V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.17A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 0.17A
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 0.17A ， F = 1.0KHz
    V
    GS
    = 0V时，我
    S
    = 0.34A
    2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
    0.7
    0.6
    V
    GS
    = 10, 7, 6, 5V
    0.5
    V
    GS
    = 4V
    0.4
    0.3
    0.2
    0.1
    V
    GS
    = 3V
    2.4
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    2.0
    V
    GS
    = 3V
    1.6
    V
    GS
    = 4V
    1.2
    V
    GS
    = 5, 6, 7, 10V
    0.8
    0
    0
    4
    2
    3
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图。 1在区域特征
    1
    5
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    0.6
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    图。 2导通电阻变化与栅极电压
    和漏源电流
    DS30368修订版2 - 2
    2 3
    www.diodes.com
    BSS123W

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6