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BCX56-16TA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BCX56-16TA
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内容描述: 在SOT89 NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 231 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BCX 54 /五十六分之五十五
V
BE(上)
,基极发射极导通电压(V )
1.2
0.4
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
图。 3典型的基射极导通电压
与集电极电流
1.0
0.3
0.8
0.6
0.2
0.4
0.1
0.2
0
0.0001
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
BE ( SAT )
,基射极饱和电压( V)
1.2
140
1.0
120
电容(pF)
100
80
60
40
20
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
图。 5典型的基射极饱和电压
与集电极电流
0
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 6典型的电容特性
300
f
T
,增益带宽积(兆赫)
250
200
150
100
V
CE
= 5V
F = 100MHz的
50
0
0
20
40
60
80
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 7典型增益带宽积
与集电极电流
BCX 54 /五十六分之五十五
数据表编号: DS35369启5 - 2
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2012年10月
© Diodes公司