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BCX56-16TA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BCX56-16TA
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内容描述: 在SOT89 NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 231 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BCX 54 /五十六分之五十五
电气特性
(@ T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压(注8)
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
所有版本
h
FE
BCX54
BCX55
BCX56
BCX54
BCX55
BCX56
符号
BV
CBO
45
60
100
45
60
80
6
-
-
25
40
25
63
100
150
典型值
最大
单位
V
测试条件
I
C
= 100µA
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
0.1
20
20
-
250
-
160
250
0.5
1.0
-
25
V
V
µ
A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100µA
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ,T
A
= +150°C
V
EB
= 5V
I
C
= 5毫安,V
CE
= 2V
I
C
= 150毫安,V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安,V
CE
= 2V
I
C
= 150毫安,V
CE
= 2V
I
C
= 150毫安,V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安,V
CE
= 2V
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
nA
静态正向电流传输
比(注6 )
10增益GRP
16增益GRP
集电极 - 发射极饱和电压(注8 )
基射极导通电压(注8)
跃迁频率
输出电容
注意事项:
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
C
敖包
V
V
兆赫
pF
脉冲条件下8.测定。脉冲宽度
300μS 。占空比
2%.
0.8
250
I
C
,集电极电流( A)
200
h
FE
,直流电流增益
0.6
150
0.4
100
0.2
50
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 1典型集电极电流
与集电极 - 发射极电压
0
0.001
1
10
0.01
0.1
I
C
,集电极电流( A)
图。 2典型的DC电流增益与集电极电流
BCX 54 /五十六分之五十五
数据表编号: DS35369启5 - 2
3 6
2012年10月
© Diodes公司