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BC847CW-G 参数 Datasheet PDF下载

BC847CW-G图片预览
型号: BC847CW-G
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内容描述: 小信号晶体管 [Small Signal Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 128 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BC847BLP
300
350
300
V
( CE) SAT
,集电极 - 发射极
饱和电压(MV )
250
200
T
A
= 125ºC
I
C
/I
B
= 20
P
D
,功耗(毫瓦)
250
200
150
150
100
50
T
A
= 150ºC
T
A
= 85ºC
100
50
R
θJA
= 500
°
C / W
T
A
= -55ºC
T
A
= 25ºC
0
0
0
25
50
75
100
125
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1功耗
- 环境温度(注4 )
150
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
( BE )坐
,基射极饱和电压( V)
V
BE(上)
,基极发射极导通电压(MV )
1,000
T
A
= -55ºC
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4
典型的基射极饱和电压
与集电极电流
800
T
A
= 25ºC
600
T
A
= 85ºC
400
T
A
= 150ºC
T
A
= 125ºC
200
V
CE
= 5V
0
0
4
6
8
2
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3
典型的基射极导通电压
与集电极电流
10
1,000
h
FE
,直流电流增益
100
10
1
0.1
1
100
10
1,000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。五
典型的直流电流增益与集电极电流
BC847BLP
文件编号: DS30525牧师11 - 2
3 5
2011年2月
© Diodes公司