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BC847CW-G 参数 Datasheet PDF下载

BC847CW-G图片预览
型号: BC847CW-G
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内容描述: 小信号晶体管 [Small Signal Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 128 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BC847BLP
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
50
45
6.0
100
单位
V
V
V
mA
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散(注4 )
热阻,结到环境(注4 )
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
250
500
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
(注5 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
增益带宽积
集电极 - 基极电容
注意事项:
4.设备安装在FR- 4 PCB 。
5.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
I
CBO
f
T
C
CBO
50
45
6
200
580
100
典型值
350
80
200
700
900
640
725
3.0
最大
450
250
600
700
770
15
5.0
单位
V
V
V
mV
mV
mV
nA
µA
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 10μA ,我
B
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
E
= 1μA ,我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ,T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1.0MHz的
BC847BLP
文件编号: DS30525牧师11 - 2
2 5
2011年2月
© Diodes公司