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BSS138-7-F 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BSS138-7-F
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 478 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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2.45
2.25
2.05
1.85
1.65
1.45
1.25
1.05
0.85
0.65
-55
-5
45
95
145
V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.075A
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
T
j
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Drain-Source On Resistance vs. Junction Temperature
2
V
GS(th)
, GATE THRESHOLD VOLTAGE (V)
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-55 -40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125 140
I
D
= 1.0mA
T
j
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature
R
DS(ON)
, DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE (W)
8
7
6
5
4
3
-55°C
25°C
V
GS
= 2.5V
150°C
2
1
0
0
0.02
0.04
0.06
0.08 0.1
0.12
0.14
0.16
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Drain-Source On Resistance vs. Drain Current
DS30144 Rev. 11 - 2
3 of 5
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BSS138