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DTS2301S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DTS2301S
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内容描述: P沟道20 V (D -S ) 175 MOSFET [P-Channel 20 V (D-S) 175 MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 417 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DTS2301S
www.daysemi.jp
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
2.0
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
100
I
D
= 2.8 A
1.7
I
S
-
来源
电流(A )
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
1.4
1.1
V
GS
= 4.5 V
0.8
V
GS
= 2.5 V
0.5
- 50
0.01
0.001
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温( ° C)
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
1.2
导通电阻与结温
1.0
0.5
0.4
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
源极 - 漏极二极管正向电压
0.8
V
GS ( TH)
方差( V)
0.3
I
D
= 250 μA
0.2
I
D
= 5毫安
0.1
0
0.6
0.4
0.2
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0
1
2
3
4
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
5
- 0.1
- 0.2
- 50
0.0
- 25
0
25
50
75 100
T
J
- 温度(℃ )
125
150
175
导通电阻与栅极至源极电压
阈值电压
- 22
I
D
= 1毫安
- 23
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
- 24
- 25
- 26
- 27
- 50
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温( ° C)
150
175
漏源击穿与结温
4