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    DTS2301S 参数 Datasheet PDF下载

    DTS2301S图片预览
    型号： DTS2301S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道20 V （D -S ） 175 MOSFET [P-Channel 20 V (D-S) 175 MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 417 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTS2301S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTS2301S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTS2301S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTS2301S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTS2301S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTS2301S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTS2301S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DTS2301S的Datasheet PDF文件第9页  
    DTS2301S
    www.daysemi.jp
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    10
    10
    T
    C
    = 25 °C
    8
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    V
    GS
    = 10 V通2.5 V
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    8
    T
    C
    = - 55 °C
    T
    C
    = 125 °C
    6
    V
    GS
    = 2 V
    6
    4
    V
    GS
    = 1.5 V
    4
    2
    2
    0
    0
    V
    GS
    = 1 V
    1
    2
    3
    4
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    5
    输出特性
    0.5
    T
    C
    = - 55 °C
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    传输特性
    10
    8
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 125 °C
    4
    0.4
    6
    0.3
    0.2
    V
    GS
    = 2.5 V
    0.1
    V
    GS
    = 4.5 V
    2
    0
    0
    1
    2
    3
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    4
    5
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    跨
    导通电阻与漏电流
    600
    4.5
    4.0
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    500
    Ç - 电容（pF ）
    I
    D
    = 2.8 A
    3.5
    V
    DS
    = 10 V
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0.0
    400
    C
    国际空间站
    300
    200
    C
    OSS
    100
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    20
    0
    1
    2
    3
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    4
    5
    电容
    栅极电荷
    3

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