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DTS2012 参数 Datasheet PDF下载

DTS2012图片预览
型号: DTS2012
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内容描述: N沟道30 V (D -S )的MOSFET [N-Channel 30 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 306 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DTS
www.daysemi.jp
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项:
2.每单位基础= R
thJA
= 125℃ / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
4.表层嵌
100
1000
方波脉冲持续时间( S)
归瞬态热阻抗,结到环境
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间( S)
归瞬态热阻抗,结到脚
www.
6