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DTS2012 参数 Datasheet PDF下载

DTS2012图片预览
型号: DTS2012
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内容描述: N沟道30 V (D -S )的MOSFET [N-Channel 30 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 306 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DTS
www.daysemi.jp
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
1.6
1.5
1.4
R
DS ( ON)
- 导通电阻
(归一化)
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
- 50
0.1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温( ° C)
V
GS
= 10 V ;我
D
= 3.7 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.7 A
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 1.5 A
I
S
- 源电流( A)
10
T
J
= 150
°C
100
T
J
= 25
°C
1
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
归一化的导通电阻与结温
0.10
I
D
= 3.7 A
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.08
1.0
V
GS ( TH)
(V)
0.06
T
J
= 125
°C
0.9
1.2
1.1
源极 - 漏极二极管正向电压
I
D
= 250 μA
0.8
0.7
0.6
0.04
T
J
= 25
°C
0.02
0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
T
J
- 温度(℃ )
导通电阻与栅极至源极电压
30
100
阈值电压
限于由R
DS ( ON)
*
25
10
I
D
- 漏电流( A)
100 μs
20
功率(W)的
15
1
1毫秒
10毫秒
10
0.1
5
0.01
0.1
T
A
= 25
°C
单脉冲
BVDSS有限公司
100毫秒
1s
10 s
DC
0
0.001
0.01
0.1
1
时间(s)
10
100
1000
1
10
100
单脉冲功率,结到环境
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区,结到环境
www.
4