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DTS1004 参数 Datasheet PDF下载

DTS1004图片预览
型号: DTS1004
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内容描述: N沟道100 V( DS ) MOSFET TrenchFET功率MOSFET [N-Channel 100 V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 1685 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
10
0.6
www.din-tek.jp
DTS1004
I
D
= 1.5 A
I
S
- 源电流( A)
T
J
= 150
°C
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.45
T
J
= 125
°C
0.3
T = 25
°C
0.15
1
T
J
= 25
°C
0.1
0.0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
源极 - 漏极二极管正向电压
2.8
导通电阻与栅极至源极电压
10
2.5
8
功率(W)的
V
GS ( TH)
(V)
2.2
I
D
= 250 μA
6
4
1.9
2
T
A
= 25 °C
1.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间(s)
10
100
1000
T
J
- 温度(℃ )
阈值电压
10
单脉冲功率
限于由R
DS ( ON)
*
100 μs
1
I
D
- 漏电流( A)
1毫秒
0.1
10毫秒
100毫秒
0.01
T
A
= 25
°C
单脉冲
0.001
0.1
1
1 s, 10 s
DC
BVDSS有限公司
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区
4