DTS1004 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTS1004
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内容描述：	N沟道100 V（ DS ） MOSFET TrenchFET功率MOSFET [N-Channel 100 V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 1685 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

N沟道100 V（ D- S）的MOSFET

特点

MOSFET产品概要

(V)

DS （ ON）

()

0.234在V

= 10 V

100

0.267在V

= 6 V

0.278在V

= 4.5 V

(A)

2.3

2.1

1.7

2.9 NC

（典型值）。

www.din-tek.jp

DTS1004

•

TrenchFET

功率MOSFET

100 % R

经过测试

100 ％ UIS测试

材料分类：

应用

• DC / DC转换

- 负荷开关

• LED背光液晶电视

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150 °C)

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

, T

英镑

极限

100

± 20

2.3

1.8

1.6

B，C

1.3

B，C

2.1

1.0

B，C

1.25

2.5

1.6

1.25

B，C

0.8

B，C

- 55〜 150

单位

漏电流脉冲（ T = 300微秒）

连续源极 - 漏极二极管电流

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

°C

热电阻额定值

参数

5

最大

稳定状态

最大结到脚（漏极）

注意事项：

一。基于T

= 25 °C.

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 5秒。

ð 。在稳态条件下最大为166 ° C / W 。

结到环境

B，D

符号

thJA

thJF

典型

最大

100

单位

° C / W

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