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DTP9531 参数 Datasheet PDF下载

DTP9531图片预览
型号: DTP9531
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内容描述: P沟道30 V (D -S )的MOSFET [P-Channel 30 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 312 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DT
www.daysemi.jp
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
100
100 μs
限于由R
DS ( ON)
*
30
10
I
D
- 漏电流( A)
1毫秒
10毫秒
I
D
- 漏电流( A)
24
1
100毫秒
1s
0.1
DC , 10秒
18
12
0.01
T
A
= 25
°C
单脉冲
0.001
0.1
6
BVDSS有限公司
0
100
0
25
50
75
100
T
C
- 外壳温度( ° C)
125
150
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区,结到环境
8.8
1.8
电流降额*
6.6
1.4
功率(W)的
4.4
功率(W)的
0
25
50
75
100
125
150
0.9
2.2
0.5
0
T
C
- 外壳温度( ° C)
0.0
0
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度( ° C)
150
电枢纽到脚
电源结到环境
*功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流,当该等级下降的包下面
极限。
5