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    DTP9531 参数 Datasheet PDF下载

    DTP9531图片预览
    型号： DTP9531
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道30 V （D -S ）的MOSFET [P-Channel 30 V (D-S) MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 312 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTP9531的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTP9531的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTP9531的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTP9531的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTP9531的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTP9531的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTP9531的Datasheet PDF文件第8页  
    DT
    www.daysemi.jp
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    0.015
    T
    J
    = 25
    °C
    10
    -03
    0.012
    I
    GSS
    - 栅极电流（mA ）
    I
    GSS
    - 栅电流（ A）
    10
    -04
    10
    -05
    10
    -06
    10
    -07
    10
    -08
    0.000
    0
    6
    12
    18
    24
    30
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    10
    -09
    0
    6
    12
    18
    24
    30
    36
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    T
    J
    = 25
    °C
    T
    J
    = 150
    °C
    10
    -02
    0.009
    0.006
    0.003
    栅电流与栅源电压
    60
    V
    GS
    = 10 V直通5 V
    V
    GS
    = 4 V
    45
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    6
    8
    10
    栅电流与栅源电压
    30
    4
    T
    C
    = 25
    °C
    15
    2
    V
    GS
    = 3 V
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    0
    0
    T
    C
    = 125
    °C
    T
    C
    = - 55
    °C
    2
    3
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    1
    4
    输出特性
    0.014
    7200
    传输特性
    6000
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    Ç - 电容（pF ）
    0.011
    V
    GS
    = 4.5 V
    C
    国际空间站
    4800
    0.008
    V
    GS
    = 6 V
    3600
    2400
    C
    OSS
    1200
    C
    RSS
    0.005
    V
    GS
    = 10 V
    0.002
    0
    15
    30
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    45
    60
    0
    0
    6
    12
    18
    24
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    30
    导通电阻与漏电流
    电容
    3

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