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DTP1N60 参数 Datasheet PDF下载

DTP1N60图片预览
型号: DTP1N60
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内容描述: 功率MOSFET可在磁带和卷轴 [Power MOSFET Available in Tape and Reel]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 4091 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DTL1N60/DTP1N60/DTU1N60
www.din-tek.jp
1.6
V
GS
R
g
V
DS
R
D
D.U.T.
+
- V
DD
I
D
,漏电流( A)
1.2
10 V
脉冲宽度
1 µs
占空比
0.1 %
0.8
图。 10A - 开关时间测试电路
0.4
V
DS
90 %
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
10
10 %
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图。 10B - 开关时间波形
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
单脉冲
(热反应)
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
15 V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
g
20 V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
- V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
5