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DTP1N60 参数 Datasheet PDF下载

DTP1N60图片预览
型号: DTP1N60
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内容描述: 功率MOSFET可在磁带和卷轴 [Power MOSFET Available in Tape and Reel]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 4091 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DTL1N60/DTP1N60/DTU1N60
www.din-tek.jp
10000
C,电容(pF )
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
F = 1MHz的
V
GS
= 0V,
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
C
国际空间站
100
T
J
= 150
°
C
1
C
OSS
10
T
J
= 25
°
C
C
RSS
1
1
10
100
1000
A
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
I
D
= 1.4A
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
16
I
D
,漏电流( A)
10
10us
12
8
100us
1
1ms
4
0
0
2
4
6
测试电路
见图13
8
10
12
14
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
10000
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图。 8 - 最高安全工作区
4