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    DTM4946_13 参数 Datasheet PDF下载

    DTM4946_13图片预览
    型号： DTM4946_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N通道60 -V （D -S ） MOSFET无卤 [Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Halogen-free]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 1694 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTM4946_13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTM4946_13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM4946_13的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTM4946_13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM4946_13的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM4946_13的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM4946_13的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DTM4946_13的Datasheet PDF文件第9页  
    典型特征
    30
    25 ℃，除非另有说明
    10
    www.din-tek.jp
    DTM4946
    V
    GS
    = 10 V直通5 V
    25
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    8
    20
    4V
    15
    6
    4
    T
    C
    = 150 °C
    2
    25 °C
    10
    5
    3V
    0
    0.0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    - 55 °C
    0
    0.0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    输出特性
    0.100
    1200
    传输特性
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ MΩ）
    0.080
    Ç - 电容（pF ）
    1000
    C
    国际空间站
    800
    0.060
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.040
    V
    GS
    = 10 V
    0.020
    600
    400
    200
    C
    RSS
    0
    10
    C
    OSS
    0.000
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    0
    20
    30
    40
    50
    60
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    导通电阻与漏电流和栅极电压
    10
    I
    D
    = 5.3 A
    8
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    1.8
    V
    DS
    = 30 V
    6
    V
    DS
    = 48 V
    4
    2.2
    I
    D
    = 5.3 A
    2.0
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    电容
    V
    GS
    = 10 V
    （归一化）
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    V
    GS
    = 4.5 V
    2
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0.6
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    栅极电荷
    导通电阻与结温
    3

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